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LED的生长汗青

  半导体P-N结发光征象的发明,可追溯到上世纪二十年代。法国科学家O.W.Lossow在研讨SiC检波器时,起首视察到了这类发光征象。因为事先在质料制备、器件工艺技术上的限定,那一主要发明没有被敏捷应用。直至四十年后,跟着Ⅲ-Ⅴ族质料取器件工艺的前进,人们终究研制胜利了具有适用代价的发射红光的GaAsP发光二级管,并被GE公司大量生产用作仪器表指导。今后,因为GaAs、Gap等质料研讨取器件工艺的进一步生长,除深红色的LED中,包孕橙、黄、黄绿等种种色光的LED器件也大量出现于市场。
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  出于多种缘由,Gap、GaAsP等LED器件的发光效力很低,光强一般在10mcd以下,只能用作室内显现之用。固然AlGaAs质料进入直接跃进型地区,发光效力敏捷下落。跟跟着半导体材料及器件工艺的前进,特别是MOCVD等内涵工艺的日趋成熟,至上世纪九十年代初,日今天亚化学公司(Nichia)取美国的克雷(Cree)公司经由过程MOCVD手艺离别在蓝宝石取SiC衬底上发展胜利了具有器件构造的GaN基LED内涵片,并制造了亮度很下的蓝、绿及紫光LED器件。
 
  超高亮度LED器件的泛起,为LED应用领域的拓展拓荒了极其壮丽的远景。起首是亮度进步使LED器件的应用于从室内走向室外。纵然在很强的阳光下,这类cd级的LED管仍能熠熠发亮,色彩斑斓。现在已大量应用于室外大屏幕显现、汽车状况指导、交通信号灯、LCD背光取通用照明范畴。超高亮LED的第二个特性是发光波长的扩大,InGaAlP器件的泛起使发光波段背短波扩展到570nm的黄绿光地区,而GaN基器件更使发光波是非扩至绿、蓝、紫波段。云云,LED器件不只使天下变得多彩,更有意义的是使固态红色照明光源的制造成为能够。取通例光源比拟,LED器件是热光源,具有很少的寿命取很小的功耗。其次,LED器件借具有体积小,结实耐用,事情电压低,相应快,便于取计算机相联等长处。统计注解,在二十世纪的最初五年内,高亮LED产物的运用市场一向连结着40%以上的增长率。跟着世界经济的苏醒和红色照明光源项目的启动,信赖LED的消费取运用会迎来一个更大的热潮。
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